1、氮化铝基板的热导率（通常为140-180 W/(m·K)）远高于常规氧化铝基板，能有效降低热点温度，提升器件可靠性。
2、符合欧盟RoHS指令要求。
3、支持更高功率负载，适合紧凑型高功率电路设计。
4、采用薄膜技术，精度可达±0.1%，温度系数（TCR）低至±25ppm/℃。
5、阻值范围覆盖50Ω至30.1KΩ，满足不同电路设计需求。
6、提供从0603到2512等多种封装尺寸，额定功率覆盖1/2W到6W。