发布日期：2024.04.16分享到：
本次拿了一些目前比较普遍的抗断裂电容系列，来介绍一下目前防断裂电容的设计机制。借此机会一起介绍一下贴片电容的内部结构以及主要成分。
电容瓷体黄色的部分为二类电介质，瓷体中间黑色的部分为内电极，其主要成分为金属镍。
往两边看，外电极结构有三层为铜 镍 锡。铜层作为导电层。镍层的作用在于作为热阻挡层，避免电容本体在焊接时承受过大的热冲击，而锡层则作为可焊接金属层，确保MLCC具有良好的可焊性。
往两边看，外电极结构有三层为铜 镍 通过将电极分成多个部分，应力分布变得更加均匀， 减少了任何单一点或区域上的应力集中，从而降低断裂的可能性。不过这种电容只有对内部结构作出改变， 抗弯折性能相比于普通电容稍好。但在价格上两者基本没有差别，所以若型号匹配此系列电容的设计范围，用N系列电容当然是更好的。
通过在电容表面和底部添加高强度陶瓷来防断裂， 成本稍有增加，但其抗断裂强度相比同系列会有明显改善，并且因为占用了原本的陶瓷介质拿来防断裂，所以此系列电容只能做低容段。
普通电容镀层为铜 镍 锡
C/F则为铜软端和银软端电容，其端头结构为铜-树脂铜/银-镍-锡。我们可以很清楚的看到镀层是有4层结构。通过树脂金属的弹性形变来分散应力，减少直接作用于陶瓷体和金属端头的应力。这种类型的电容抗弯折能力最强，在抗弯折测试中能达到8mm-10mm左右的弯曲深度。
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